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產(chǎn)品名稱:二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250

產(chǎn)品型號:

更新時間:2024-04-28

產(chǎn)品特點:二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250 FEI Quanta 系列包括六款可變壓力和環(huán)境掃描電子顯微鏡 (ESEM™)。所有這些產(chǎn)品均可滿足工業(yè)工藝控制實驗室、材料科學實驗室和生命科學實驗室的多種樣本和成像要求。

產(chǎn)品詳細資料:

二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250 uanta 系列掃描電子顯微鏡屬于多功能、高性能儀器,并具有高真空、低真空和 ESEM 三種模式,能夠處理的樣本類型之多堪稱 SEM 系統(tǒng)。所有 Quanta SEM 系統(tǒng)均可配備分析系統(tǒng),比如能量色散譜儀、X 射線波長色散譜儀以及電子背散射衍射系統(tǒng)。此外,場發(fā)射電子槍 (FEG) 系統(tǒng)含有一個用于明場和暗場樣本成像的 S/TEM 檢測器。SEM 系統(tǒng)中的另一個可變配置是電動工作臺的尺寸(分 50mm、100mm 和 150mm 三種)以及電動 Z 軸行程的大?。ǚ謩e為 25mm、60mm 和 65mm)。Quanta 250 和 250 FEG 都設計了大標本室,能夠分析和瀏覽大型標本。


Quanta 的材料科學應用

隨著 Quanta 250 系列的推出,現(xiàn)在的 Quanta SEM 系列更為靈活。對于材料科學來說,這些全新儀器可滿足對眾多類型材料進行研究以及表征結構和成分的需求。FEI Quanta™ 系列十分靈活,功能多樣,能夠應對當今眾多研究領域的挑戰(zhàn)。觀測任意樣本并獲得所有數(shù)據(jù) - 表面和成分圖像可與配件結合起來,確定材料屬性和元素成分。


Quanta 旨在增加您實驗室的可發(fā)表成果。Quanta 標準環(huán)境 SEM (ESEM) 功能可以提供額外的能力,用于處理您之前認為電子顯微技術無法處理的樣品和應用,同時協(xié)助預測長期的材料性能。


· 對水化物樣品成像。

· 潮濕或熱循環(huán)期間的結晶或相變。

· 懸浮或自組裝過程中的粒子。

· 金屬腐蝕。

· 拉伸試驗(根據(jù)需要加熱或冷卻)。


 二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250


二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250  Quanta 自身的多功能性使之非常適合用于材料科學。它善于執(zhí)行傳統(tǒng)高分辨率 SEM 成像/分析,在動態(tài)原位 實驗方面同樣游刃有余。Quanta 可以讓您研究自然狀態(tài)下的廣泛樣品,從而獲得最準確的結構和組成信息: 

· 氧化/腐蝕樣品

· 陶瓷材料、復合材料、塑料

· 薄膜和涂層

· 軟材料:聚合物、藥物、凝膠

· 顆粒物、多孔材料、纖維


典型應用: 

檢測器
• E-T二次電子探頭

納米表征

  • 金屬及合金, 氧化/腐蝕, 斷口, 焊點, 拋光斷面, 磁性及超導材料

  • 陶瓷, 復合材料, 塑料

  • 薄膜/涂層地質(zhì)樣品斷面, 礦物

  • 軟物質(zhì): 聚合物, 藥品, 過濾膜, 凝膠, 生物組織, 木材

  • 顆粒, 多孔材料, 纖維

原位過程分析

  • 增濕/去濕

  • 浸潤行為/接觸角分析

  • 氧化/腐蝕

  • 拉伸 (伴隨加熱或冷卻)

  • 結晶/相變

納米原型制備

    • 電子束曝光 (EBL)
    • 電子束誘導沉積(EBID)

主要參數(shù)

電子光學

  • 高分辨肖特基場發(fā)射電子槍

  • 優(yōu)化的高亮度、大束流鏡筒

  • 45°錐度物鏡極靴,及“穿過透鏡"的壓差真空系統(tǒng),加熱式 物鏡光闌

  • 加速電壓: 200 V - 30 kV

  • 束流: 最大200 nA并連續(xù)可調(diào)

  • 放大倍數(shù): 14 x – 1,000,000 x (四幅圖像顯示)

    分辨率

  • 高真空

    • –  30 kV下0.8 nm (STEM)*

    • –  30 kV下1.0 nm (SE)

    • –  30 kV下2.5 nm (BSE)*

    • –  1 kV下3.0 nm (SE)

  • 高真空下減速模式*

    • –  1 kV下3.0 nm (BSE)*

    • –  1 kV下2.3 nm (ICD)*

    • –  200 V下3.1 nm (ICD)*

  • 低真空

    • –  30 kV下1.4 nm (SE)

    • –  30 kV下 2.5 nm (BSE)

    • –  3 kV下3.0 nm (SE)

  • 環(huán)境真空 (ESEM)

– 30 kV下1.4 nm (SE)

檢測器

• E-T二次電子探頭

•大視場低真空氣體二次電子探頭 (LFD)

• 氣體二次電子探頭 (GSED)

• 樣品室紅外CCD相機
• 高靈敏度、低電壓固體背散射探頭*

• 氣體背散射探頭*

• 四分固體背散射探頭*

• 閃爍體型背散射探頭/CLD*

• vCD(低電壓、高襯度探頭)*

• 鏡筒內(nèi)探頭(ICD),用于減速模式下二次電子檢測*

• 電子束流檢測器*

• 分析型氣體背散射探頭 (GAD)*

• STEM探頭*

• Nav-CamTM– 光學相機彩色成像,用于樣品導航*

• 陰極熒光探測器*

• 能譜*

• 波譜*

• EBSD*

• 極靴底部安裝四環(huán)分隔式定向型背散射電子探頭 (DBS)*

真空系統(tǒng)

• 1個 250 l/s 渦輪分子泵, 2個機械泵

• “穿過透鏡"的壓差真空系統(tǒng)

• 電子束在氣體區(qū)域的行程:10 mm或2 mm

• 可升級成無油機械泵

• 2個離子泵

• 樣品室真空度 (高真空模式) < 6e-4 Pa

• 樣品室真空度(低真空模式) < 10 to 130 Pa

• 樣品室真空度(環(huán)境真空模式) < 10 to 4000 Pa

• 典型換樣時間: 高真空模式≤ 150秒;低真空及環(huán)境真空模式 ≤ 270秒 (FEI標準測試程序)

樣品室

• 左右內(nèi)徑284 mm
• 10 mm分析工作距離
• 8個探測器 / 附件接口 • EDS采集角: 35°

樣品臺

• X/Y = 50 mm
• Z = 50 mm (其中馬達驅(qū)動25 mm) • 手動傾斜:- 15° to + 75°
• 連續(xù)旋轉(zhuǎn)360°
• 重復精度: 2 μm (X/Y方向)
• 全對中樣品臺

樣品座

• 多樣品座
• 單樣品座
• 通用樣品座套件*
• 適用于硅片或其它特殊要求的樣品座*

圖像處理器

  • 最大6144 x 4096像素

  • 圖像文件格式:TIFF(8,16 or 24 bit), BMP or JPEG

  • 單窗口或四窗口圖像顯示

  • 四活動窗口

  • 實時或靜態(tài)按彩色或按灰度等級信號混合

  • 256 幀平均或積分

  • 數(shù)字動畫記錄 (.avi格式)

  • 直方圖及圖像測量軟件

  • DCFI (漂移補償積分)



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